2月4日消息，据报道，预计从第二季度开始，三星电子改良版HBM3E的供应量将迎来全面增长，这一趋势与美国**实施的尖端半导体出口管制政策紧密相关。该政策促使客户需求逐步向改良版HBM3E转移，尽管这在一定程度上可能暂时抑制了HBM的整体需求。

然而，值得注意的是，从第二季度起，对12层HBM3E的需求预计将迅猛增加，增速甚至可能超过先前的预期。鉴于此，三星电子已制定计划，旨在将今年全年的HBM bit供应量扩大至去年的两倍，以确保充分满足市场需求。

另外，据知情人士透露，三星电子已成功获得向英伟达供应其8层HBM3E高带宽存储芯片的许可。尽管在HBM技术领域，三星电子仍面临来自SK海力士和美光科技等强劲对手的竞争压力，但这一进展无疑标志着三星电子在该领域迈出了重要一步。

三星电子在HBM领域的这些积极动作和规划，无疑将进一步推动公司在半导体芯片市场的竞争力和发展势头。

不过，挑战依然存在。三星电子高管指出，尽管2024年第四季度HBM销售额实现了190%的环比增长，但仍未达到预期水平。而进入2025年第一季度，HBM收入预计将出现下滑，且需求的不确定性有所增加。未来HBM的需求走势将主要取决于GPU产品的供应状况以及美国出口管制政策的具体影响。

尽管如此，三星电子仍对HBM市场的未来发展持乐观态度，并预计需求将在2025年第二季度恢复增长。为此，公司已设定目标，即今年HBM的供应量要实现比去年翻一番的壮举。

此外，尽管内存和IT市场充满不确定性，三星电子仍坚定表示，将继续投资于尖端内存技术的研发，以巩固和扩大其在该领域的领先地位。